聯系我們
聯系人：王先生 郭先生 李小姐
服務專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站m.artks.com.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站m.artks.com.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
文章詳情
IGBT模塊的注意事項（一）
日期：2025-12-16 05:38
瀏覽次數：953
摘要：
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT模塊失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：
1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;
2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極*大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術力量雄厚的高素質的開發群體，為廣大用戶提供高品質產品、完整的解決方案和上等的技術服務公司。主要產品有 西門康IGBT ABB可控硅 BUSSMANN FERRAZ熔斷器 等。 本企業堅持以誠信立業、以品質守業、以進取興業的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業作出貢獻，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產品。我們將竭誠為您服務！
